ABSTRAK
Penelitian ini bertujuan 1) mengetahui pengaruh massa bahan terhadap kualitas kristal semikonduktor Sn(Se0,2Te0,8), 2) mengetahui pengaruh massa bahan terhadap struktur kristal dan parameter kisi kristal Sn(Se0,2Te0,8), dan 3) mengetahui morfologi permukaan serta komposisi kimia dalam kristal Sn(Se0,2Te0,8).
Teknik penumbuhan kristal yang digunakan adalah teknik Bridgman dengan melakukan variasi massa bahan. Untuk sampel pertama, massa Sn yang digunakan adalah 0,9 gram, sampel II massa Sn sebanyak 1 gram, sampel III massa Sn sebanyak 1,1 gram, dan untuk sampel IV massa Sn sebanyak 1,2 gram. Keempat sampel dipanaskan dengan alur pemanasan yang sama dan proses pemanasan untuk tiap sampel dilakukan selama 18 jam untuk suhu 350° C, dan 600° C selama 12 jam. Kristal hasil preparasi kemudian dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) dan Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX).
Hasil karakterisasi menujukkan bahwa variasi massa dapat mempengaruhi kualitas kristal dilihat dari tingkat keteraturan atom dalam kristal. Struktur kristal dari keempat sampel yang terbentuk adalah kubik. Hasil perhitungan analitik parameter kisi kristal yang dihasilkan yaitu, sampel I sebesar a = b = c = Å, sampel II sebesar a = b = c = Å, sampel III sebesar a = b = c = Å, dan sampel IV sebesar a = b = c = Å. Dari hasil karakterisasi SEM dapat terlihat bahwa morfologi permukaan dari sampel I dan sampel II menunjukkan sudah terbentuk kristal. Sedangkan hasil karakterisasi EDAX menunjukkan bahwa kedua sampel mengandung unsur Sn, Se dan Te dengan perbandingan molar Sn : Se : Te untuk sampel I adalah 1 : 0,1 : 0,8 dan sampel II dengan perbandingan 1 : 0,01 : 0,6.
Kata kunci: Semikonduktor, Teknik Bridgman, Kristal Sn(Se0,2Te0,8)
File Selengkapnya.....
